以下哪种矿物的硬度大于小刀
黄铁矿！！！！
1、 铁的二硫化物。纯黄铁矿中含有46.67%的铁和53.33%的硫。密度：5.0g/cm3 摩氏硬度较大，达6-6.5，小刀刻不动。
2、CuFeS2,Cu铜34.56%，Fe30.52%，S34.92%。硬度：3-4 黄铜矿，可以从它的颜色和条痕当中鉴别出来;它和黄铁矿[1]相像，但是硬度不如黄铁矿，黄铁矿的硬度是6-6.5；它和金类似，但是硬度比金高，也比金脆，金的硬度是2.5-3；它和黄铁矿一样，在野外很容易被误会为黄金，因此被称为愚人金(Fool's Gold); 黄铜矿为炼铜的主要原料。
3、硬度为2.5，密度较高，为7.4至7.6克/立方厘米，金属光泽。方铅矿（即硫化铅）是一种比较常见的矿物，它是提炼铅的重要矿石矿物，是分布最广的铅矿物。方铅矿的化学成分为PbS，含铅可达86.6％。晶体形态常呈立方体，集合体呈柱状或致密块状。铅灰色，条痕灰黑色，金属光泽，不透明。硬度2―3，密度7.4－7.6。三组解理完全。
4、化学成分为ZnS、晶体属等轴晶系的硫化物矿物。成分相同而属于六方晶系的则称纤锌矿。闪锌矿含锌67.1%；通常含铁，铁含量最高可达30％，含铁量大于10％的称为铁闪锌矿；此闪锌矿外观外常含锰、镉、铟、铊、镓、锗等稀有元素。
硬度：3-4.5比重：3.9-4.2g/cm3
光电池特性研究实验的数据处理方法。
一、实验目的和内容 1.作出单色仪的校正曲线—单色仪的定标。2. 测定硅光电池的光谱响应—作出波长λ与硅光电池的灵敏度K´(λ)的校正曲线。 3. 设计简单的光路和电路，测量、研究硅光电池的主要参数和基本特性。二、实验基本原理光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接把光能转换成电能。光电池的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、硫化铊、硫化镉等。其中最受重视、应用最广的是硅光电池。它有一系列的优点：性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器、测量仪器、曝光表以及自动控制检测、计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要的地位。本实验仅对硅光电池的光谱响应进行测量和研究，对其他基本特性和简单应用作初步的了解。 硅光电池是一种p-N结的单结光电池，当光照射到P-N结时，由光激发的光生载流子的迁移，使P-N结两端产生了光生电动势，如果它与外电路中的负载接通，则负载电路中将有光电流产生。 (1)硅光电池的主要参数和照度特性 1)开路电压曲线。硅光电池在一定的光照条件下的光生电动势称为开路电压，开路电压与入射光强照度Ee的特性曲线称为开路电压曲线，开路电压可直接用电位差计读出。(当所测电压超过电位差计量程时，自行设法扩大量程) 2)短路电流曲线。在一定光照条件下，光电池被短路(负载电阻R=0)时，所输出的光电流值称为短路光电流。光电流密度Je与照度Ee的特性曲线称为短路电流曲线。 3)试研究开路电压、短路电流与受光面积的关系。 (2)硅光电池的负载特性 1)硅光电池的伏安特性与最佳匹配。随着负载电阻的变化，回路中电流I和硅光电池两端的电压U相应地变化，称为硅光电池的伏安特性。通过负载特性的研究，就可知道在某一负载电阻时其输出功率最大，这称为最佳匹配，所用负载电阻又称为最佳匹配电阻。 2)硅光电池的内阻。从理论上可以推导出硅光电池的内阻Rs等于开路电压除以短路电流。可以观察到光照面积不同时，硅光片的内阻将发生变化。 (3)硅光电池的温度特性(供选做参考)。硅光电池的开路电压、短路电流随温度t变化的曲线表征了它的温度特性。这种硅光电池的温度漂移，直接影响到测量精度与控制精度。一般开路电压随温度增加而迅速下降，路短电流随温度增加而缓慢上升。在具体应用和设计仪器时，应考虑温度的漂移，要采取相应的措施进行补偿。 (4)硅光电池的光谱响应特性 用光电法测量光的强度，光的能量时，一般是采用光电管、光电倍增管、硅光电池、半导体光电二极管、炭斗和热电堆等光电器件。但这些器件各有它们的特点。使用时必需了解它的特性，它们对各波段的灵敏度如何？也就是它们的光谱响应怎么样？ 国产的硅光电池灵敏度比较高，尤其在长波，灵敏度更高。但相对来说，在450纳米以下的短波与长波比较它的灵敏相差很大，光谱响应比较差。因此，测定硅光电池的灵敏度是很重要的了。 实验中采用2CR 型系列的硅光电池。并用热电堆对各个波长的灵敏度比较均匀这个特点来作标准，求出硅光电池相对光谱灵敏度。 其做法是假设在某个波长，热电堆的光谱灵敏度为K（λ），硅光电池的光谱灵敏度K´(λ)；单色仪的透过率为T（λ）；热电堆与硅光电池的输出信号大小分别为D（λ）和D´（λ）；光源（这里用白炽灯）的辐射能量的发射本领为E（λ）。它们的关系分别为： D（λ）= E（λ）K（λ）T（λ） （1） D´（λ）= E（λ）K´（λ）T（λ） （2）（1）和（2）两式相除得： D（λ）/ D´（λ）= K（λ）/ K´（λ） （3）因为热电堆的光谱响应均匀，即无选择性，灵敏度基本上是一样的。为此，我们用热电堆作为标准，并假定它的光谱灵敏度为一个常数。为了计算方便，这里假定K（λ）等于1.则（3）式变为 K´(λ)= D´（λ）/ D（λ） (4)用这个关系式就可以求出硅光电池的相对光谱灵敏度即光谱响应。三、实验用具与装置图 实验用具：单色仪，ACⅡ型光电检流计，经过稳压的光源（白炽灯），硅光电池和热电堆等。 装置如下图： S1和S2分别为单色仪的输入和输出狭缝。G为探测器（硅光电池或热电堆）L为聚焦透镜，它把白炽灯的光束聚焦成象在狭缝上。
