一、氧化钒是半导体吗
收藏价值不大，沉积岩中蕴藏着丰富的矿产。据有关资料统计，世界资源总储量的75-85%是沉积成因和沉积变质成因的。
煤、油页岩等可燃性有机矿产以及石油、天然气等能源几乎全是沉积成因的。煤是重要的能源之一，被称为工业的粮食。我国煤矿资源非常丰富，是世界上产煤大国之一，早在1986年我国的煤炭总产量就已超过9亿吨。实际上，煤的利用价值比单纯当作燃料要大得多，有很多用处至今鲜为人知。比如用煤可以提取冶金焦炭、人造石油以及成千上万种化工产品，从煤中还能提取锗、镓、钒、铀等半导体工业和核工业所需要的重要元素
二、氧化钒晶体
红矾
红矾，一般指两种东西，一个是重铬酸钾的简称（也称红矾钾），化学式：K2Cr2O7 橙红色晶体，溶于水，强氧化剂。其浓溶液加入浓硫酸后，即得到实验室中常用的铬酸洗涤液。而另外一个就是三氧化二砷，即书上所谓的砒霜了。砒霜化学式As2O3，不纯的三氧化二砷呈红色，有剧毒，又称鹤顶红，也称红矾。
化学式
K2Cr2O7，As2O
理化性质
红矾是橙红色晶体，溶于水，是一种强氧化剂。其浓溶液加入浓硫酸后，即得到实验室中常用的铬酸洗涤液。
砒霜,又叫信石、红矾,主要化学成分为三氧化二砷 As2 O3古代的生产技术落后，不纯的砒霜往往带有红色或红黄色的块状结晶或颗粒。其中含有少量的硫化砷,俗称红砷。砒霜里都伴有少量的硫和硫化物。其所含的硫与银接触，就可起化学反应，使银针的表面生成一层黑色的“硫化银”；到了现代，生产砒霜的技术比古代要进步得多，提炼很纯净，不再参有硫和硫化物。银金属化学性质很稳定，在通常的条件下不会与砒霜起反应。它是白色粉末，没有特殊气味，与面粉、淀粉、小苏打很相似，所以容易误食中毒。
三、氧化钒的用途
氧化钒和非晶硅的不同点：
1.成像原理不同
氧化钒探测器一个像元就是一个精确的温度，多晶硅薄膜由于材料生长的特性，对温度的变化相对不敏感，但随着软件算法的发展，可以通过图像算法程序做一定程度的弥补。通过图像算法把N*N（N≥2）个像元的平均温度作为一个测温值，临近区域给出一个模拟的人工数值。
2、 薄膜沉积方法
氧化钒薄膜采用反应溅射沉积方法制备，需要对标准CMOS工艺PVD设备进行改造，引入O2作为反应气体，实现薄膜氧化。
非晶硅薄膜采用化学气相沉积（CVD）方法制备，需要对标准CMOS工艺CVD设备进行改造，引入H2作为反应气体，实现薄膜掺氢工艺。
3、薄膜性能指标不同
薄膜性能指标不同（主要包括TCR电阻温度系数、1/f噪声系数、电阻率与电阻均匀性）
氧化钒薄膜与非晶硅薄膜都是半导体热敏薄膜，薄膜TCR与电阻率都成正比关系。
4、器件技术指标
氧化钒的指标为20-30mk， 非晶硅的50-60mk,但是实际效果有的图像效果非晶硅反而更好。不要轻易看这个指标的概念
四、氧化钒与锗镜头的区别图片
第一电离势、熔点、沸点、熔化热、汽化热、电化当量、结合能、离子半径、密度、电荷离子半径比、氧化性、离子奇偶性、挥发性。
结论如下：
毒性大：
Hg汞 〉Cd镉 〉Tl铊 〉Pb铅 〉Cr铬 〉In铟 〉Sn锡
毒性中等：
Ag银〉Sb锑〉Zn锌〉Mn锰〉Au金〉Cu铜〉Pr镨 〉Ce 铈〉Co钴〉Pd钯〉Ni镍〉V钒 〉Os锇〉Lu镥〉Pt铂〉Bi铋〉Yb镱〉Eu铕〉Ga镓〉Fe铁〉Sc钪〉Al铝〉Ti钛〉Ge锗〉Rh铑〉Zr锆
毒性较小：
Hf铪〉Ru钌〉Ir铱〉Tc锝〉Mo钼〉Nb铌〉Ta钽〉Re铼〉W钨〉Tm铥〉Dy镝 〉Nd钕〉Er铒〉Ho钬 〉Gd钆〉Tb铽 〉La镧〉Y钇
五、氧化钒的特点
氧化钒和五氧化二钒是一种物质，没区别。
六、氧化钒是什么
氧化锌 氧化锌（ZnO3,Zinc Oxide）氧化锌可以从金属锌直接加热氧化而得。是一种白色粉末状，分子量81.4，比重5.6。在釉中，氧化锌有助熔，降膨胀，防止坼裂，增加光泽和白度，加宽烧成温度范围，防止蛋壳面等优点。
ZnO取代一部分CaO时，可防止铅的挥发作用，因为CaO太多时会抢SiO2而留下易挥发的PbO煅烧(Calcined)氧化锌密度大，釉浆流动性佳，使釉的烧前收缩减少，可防止缩釉。
七、氧化钒与锗镜头的区别是什么
(1).Click through rate的缩写 也就是所谓的点击率。
(2).临界温度电阻CTR（Crit1Cal Temperature Resistor），温度计的一种。
临界温度热敏电阻CTR（Crit1Cal Temperature Resistor）具有负电阻突变特性，在某一温度下，电阻值随温度的增加激剧减小，具有很大的负温度系数．构成材料是钒、钡、锶、磷等元素氧化物的混合烧结体，是半玻璃状的半导体，也称CTR为玻璃态热敏电阻．骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变．这是由于不同杂质的掺入，使氧化钒的晶格间隔不同造成的．若在适当的还原气氛中五氧化二钒变成二氧化钒，则电阻急变温度变大；若进一步还原为三氧化二钒，则急变消失．产生电阻急变的温度对应于半玻璃半导体物性急变的位置，因此产生半导体-金属相移．CTR能够作为控温报警等应用．
