电导率σ=2Ω -1 CM -1，相对介电常数=介质的介态隐电常数/真空介电常数，相对磁导率=介质磁导率/真空磁导率。
砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。
扩展资料：
注意事项：
1、与众多硅电路相同，砷化镓芯片也是静电敏感器件，应该接地操作。
2、砷化镓不应有高温工艺。因为芯片温度不能超过320℃，所以焊接放置芯片和封盖操作时应特别注意。
3、砷化镓包含砷元素，是作为有毒材料对待的。报废产品应该放置于合适的容器中（第十五节）。 第十四节包含对在封装件内信悔部的芯片底部接触放置的指引。
参考资料来源：百度百科-砷化镓
参考资料来源：百度百科-电导率
参考资料来源：百帆坦厅度百科-相对介电常数
参考资料来源：百度百科-相对磁导率
镓砷（GaAs）是一种常见的III-V族半导体材料，具有许多优良的性质，如高电子迁移率和直接带隙，广泛用于电子和光电子桐岩备设备。关于你提到的几个物理参数，以下是我能提供的一些大致数值：局毁
1. 电导率：镓砷的电导率取枣世决于其掺杂程度和温度，因此很难给出一个具体数值。不过，为了给你一个参考，非掺杂的镓砷在室温下的电导率大约在10^-7 S/m左右，而高度掺杂的镓砷电导率可达到10^3 S/m。请注意这只是一个大致的范围。
2. 相对介电常数：镓砷的相对介电常数（也被称为介电常数）大约为12.9。
3. 相对磁导率：镓砷的相对磁导率通常接近1，这是因为它是一种非磁性材料。
顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%