一、耐高温绝缘板材都有哪些
你是要用来做哪方面的呢？据我所知国外很多绝缘板材都是耐高温的，比如PC、PP、PET板材。而国内也有不少（博鼎绝缘板材）这方面的。耐温一般能达到100℃到200℃之间，典型的品牌就有历新PC
切割绝缘板材使用金刚石切割片是最好的，如果使用其它的刀具进行切割，刀具切不了多长的距离，刀刃就会磨钝。只有金刚石切割片不存在这个问题，可以一直切割下去，而且切割的效率很高。
二、国内有哪些厂家可以生产PCD刀具？
河南鼎基钻石工具有限公司专业生产金刚石刀具，立方氮化硼刀具，pcd,cbn刀片，数控刀具，金刚石钻头，金刚石复合片钻头，锚杆钻头，矿山钻头，金刚石木工锯片，pcd锯片，pcd金刚石木工锯片
这种厂家多了，比较出名的就是江苏扬碟钻石工具有限公司，有专门做PCD，PCBN刀具的。
这两种都是超硬材料，郑州是国家级超硬材料产业基地，很多工厂都做这个！
具有代表性的是华晶金刚石（pcd）和富耐克（CBN刀具）
希望能够帮到您！
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三、金刚石薄膜
从20世纪70年代起，原苏联就开始了金刚石薄膜的研究工作，开发出了化学气相沉积法，即CVD法。日本于80年代初，借鉴原苏联的技术，开发出微波CVD法（MW CVD）；美国从1984年投入力量，开始追赶。从1987年掀起了世界范围的金刚石薄膜热；西方国家把当今世界称为新金刚石时代；1988年10月在日本东京召开“首届国际新金刚石科学技术研讨会”，16个国家、360名代表参加；1990年9月在美国华盛顿召开了第二届“新金刚石研讨会”，有18个国家、470名代表参加，发表了180篇文章，其中有一半以上是有关CVD法。近年来，日本每年拿出1亿美元投入到薄膜开发；1991年美国政府拨款约1千万美元。
不久将来以金刚石薄膜为基础的新一代电子产品，会大量出现。有下面几例可说明当今金刚石薄膜的生产技术水平：①1991年美国应用脉冲激光方法，在铜衬底上成功地合成出金刚石单晶；②日本于1991年取得金刚石薄膜沉积速度达1000μm/h的水平；③1991年，乌克兰超硬材料研究所研制出直径达半米的薄膜，并向一米直径进军；④金刚石薄膜的沉积温度，已降至350℃。
我国“七五”规划863工程金刚石薄膜开发项目执行以来，已有30多个大学及院所，以及公司从事开发研究，取得可喜的进展，大多数国外采用的方法国内均有并已达到了实际应用水平。
一、应用领域
由于金刚石薄膜硬度高、耐磨性好、绝缘性好以及具有优异的热、电、光、声特性，故它在高速计算机、超大规模集成电路、高温微电子、光电子、空间技术、激光技术以及现代通讯等领域内有着巨大的应用潜力。
它主要用于：①集成电路、激光器件的散热片；②红外窗口；③超大型集成电路芯片；④薄膜传感器；⑤高保真扬声器振动膜；⑥机械零件耐磨表面；⑦晶体管二极管、激光二极管的热沉材料；⑧抗辐射电子仪器；⑨防化学腐蚀的表面；⑩热敏电阻片（温度达600℃）等等。
二、金刚石薄膜制备工艺
金刚石薄膜的制备方法很多，可分为两大类：物理气相沉积法（PVD）；化学气相沉积法（CVD）。现介绍几种典型常用的方法：
1.热丝化学相沉积法（HCVD）
此法又称为热能CVD法，其工作原理见图2-11-10（1）。该法是把基片（Si、Mo、石英玻璃片等）放在用石英玻璃管（或其他材料）制成的反应室内，先将系统抽真空至预定值。然后通入原料气体（一般采用CH4与H2的混合气体，其体积浓度之比：0.5%～2.0%），使反应室内的气体压力达到103～105Pa，将外电炉升至预定温度，再使灯丝（钨丝或钽丝）加热至2000℃以上。热丝与基底之间的距离为1mm至几十毫米之间；基片温度为500～900 ℃。在这样的反应条件下，CH4、H2被热解，金刚石在基片上沉积，便获得金刚石薄膜产品。
热丝法的优点是：设备简单，操作容易。缺点是：生长速度慢（1～2μm/h）；热丝的化学成分会污染金刚石膜。
图2-11-10 CVD装置示意图
2.直流等离子体喷射CVD法（DCPCVD）
等离子体CVD包括直流等离子体、高频等离子体和微波等离子体CVD三种。
直流等离子体CVD的装置见图2-11-10（2）。等离子体喷管有圆筒状喷嘴（阳极）和圆筒中的柱状阴极组成。阴极用镍制成，阳极材料为紫铜。在阴极和阳极之间通入的CH4+H2气体放电，形成电弧，产生C、H、H2多种等离子体。它们在压力差的作用下，以接近声速的高速度从喷嘴喷出，形成了等离子体射流撞击到水冷的基底上，沉积成金刚石膜。
直流等离子体CVD法的典型工艺条件如下：
碎岩工程学
该方法的优点：能在很快速度下生长优质大尺寸金刚石厚膜，最快的生长速度可达930μm/h。缺点是所用设备较复杂。
著名的美国Norton公司就是采用该方法以工业化的规模生产优质金刚石膜。
3.微波等离子体CVD法
微波等离子体CVD装置如图2-11-10（3）所示。微波发生器产生的微波，通过波导管耦合到反应器内，而产生辉光放电。反应器内的微波一方面使CH4和H2混合气体原料电离成等离子体；另一方面加热基底温度至700～900℃。因此，微波等离子体的输出功率不仅影响基底温度，而且影响反应物的质量。采用本方法时，金刚石在基片上的沉积速度为3μm/h。
4.化学火焰法（燃烧火焰法）CFD
1988年，日本发明了一种非常方便的制备金刚石薄膜的方法――燃烧火焰法，如图2-11-10（4）所示。
燃烧是一种氧化反应，大气下的燃烧火焰，也是一种等离子体。如果将碳氢化合物C2H2和氧气通入到火焰枪，只要预混氧气适量，就能形成由焰心、内焰（还原焰）和外焰（氧化焰）构成的火焰。在外焰区，C原子被氧化成CO2，因此不能用于金刚石的制备；在内焰区，由于氧气不足，燃烧不安全，因此，在该区内含有大量的活性游离基团。这些活性基团在温度较低的基底上，沉积出金刚石膜。
基片放在内焰范围中，基片温度为500～1100℃，气体流量均为1～6L/min；内焰长度25～60mm；试样到喷口距离为15～40mm。
该方法的特点是：可在大气中进行，设备简单，成本低；沉积速度快（60～100μm/h）；能在硬质合金基片上沉积。
